摘要:本实验采用浸渍法和光还原法将 NiO 和 Ag 负载在 g-C3N4 表面,合成三元复合 材料 NiO/Ag/g-C3N4,对复合材料进行 X-射线衍射(XRD) 、红外光谱(FT-IR) 、荧光光谱(PL)等表征。使用该催化材料在光-Fenton 催化体系下对土霉素进行降解。实验结果表明,相比纯的 g-C3N4、NiO 、以及 NiO/g-C3N4,复合后的异质结光催化剂对土霉素的降解具有更高效的催化效果。当 pH=6 时,20 mg 20%-NiO/Ag/g-C3N4,在可见光作用下(λ>420 nm),120 min 对土霉素的降解率可达 89.3%。羟基自由基(?OH)和超氧基自由基(?O2-)在光-Fenton 催化降解中发挥了主要作用。